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Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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    Transistor IGBT, IC: 10 A a 100 ºC, PTOT: 65 W, VCES: 600 V, diodo damper.

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    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, salidas con tiempos de propagación similares y en fase con las entradas, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6...

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