Transistores

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Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 69 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

por página
Mostrando 1 - 18 de 69 items
  • $ 155 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92.

    $ 155
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  • $ 1.910 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18.

    $ 1.910
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  • $ 1.595 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18

    $ 1.595
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  • $ 2.800 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

    $ 2.800
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  • $ 5.000 En stock

    Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 3 MHz, encapsulado TO-3. Original

    $ 5.000
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  • $ 4.686 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    $ 4.686
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  • $ 131 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 200mA, PD: 625mW, VCEO: 40V, VCBO: 60V, VEBO: 6V, encapsulado TO-92. Original

    $ 131
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  • $ 131 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: -200 mA, PD: 625 mW, VCEO: -40 V, VCBO: -40 V, VEBO: -5 V, encapsulado TO-92. Original

    $ 131
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  • $ 250 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz

    $ 250
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  • $ 350 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz

    $ 350
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  • $ 14.496 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

    $ 14.496
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  • $ 300 En stock

    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz

    $ 300
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  • $ 4.500 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    $ 4.500
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  • $ 3.900 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    $ 3.900
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  • $ 3.050 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias

    $ 3.050
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  • $ 5.950 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias

    $ 5.950
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  • $ 43.500 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®

    $ 43.500
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  • $ 390 En stock

    Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW

    $ 390
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