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Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW

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