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Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

MOSFET Hay 12 productos.

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  • $ 43.500 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®

    $ 43.500
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  • $ 390 En stock

    Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW

    $ 390
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  • $ 3.700 En stock

    Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW

    $ 3.700
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  • $ 2.900 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W

    $ 2.900
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  • $ 8.427 En stock

    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, salidas con tiempos de propagación similares y en fase con las entradas, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6...

    $ 8.427
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  • $ 3.200 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W

    $ 3.200
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  • $ 5.231 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 18 A, PW 150 W.

    $ 5.231
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  • $ 2.250 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 400 V, RDS 1 Ω, ID 5.5 A, PW 74 W

    $ 2.250
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  • $ 2.500 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W.

    $ 2.500
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  • $ 3.400 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 500 V, RDS 1.5 Ω, ID 4.5 A, PW 74 W

    $ 3.400
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  • $ 3.600 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDS 200 V, RDS 0.8 Ω, ID 6.5 A, PW 74 W

    $ 3.600
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  • $ 5.000 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) < 0.55 Ω, ID 9 A, PW 110 W. SuperMESH™ protegido por zener.

    $ 5.000
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