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2N2222

2N2222

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Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92.

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Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA
  • PD: 625 mW
  • VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
  • fT: 300MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-92

 

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Equivalentes: NTE123AP, PN2222, KTN2222, KN2222, entre otros