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Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 91 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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  • USD$ 0.28 En stock

    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

    USD$ 0.28
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  • USD$ 1.27 Fuera de stock

    Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW

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  • USD$ 1.39 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original

    USD$ 1.39
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  • USD$ 1.58 En stock

    Transistor IGBT, IC: 10 A a 100 ºC, PTOT: 65 W, VCES: 600 V, diodo damper.

    USD$ 1.58
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  • USD$ 1.10 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W

    USD$ 1.10
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  • USD$ 1.80 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 18 A, PW 150 W.

    USD$ 1.80
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  • USD$ 0.77 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 400 V, RDS 1 Ω, ID 5.5 A, PW 74 W

    USD$ 0.77
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  • USD$ 0.86 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W.

    USD$ 0.86
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  • USD$ 1.17 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 500 V, RDS 1.5 Ω, ID 4.5 A, PW 74 W

    USD$ 1.17
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  • USD$ 1.24 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDS 200 V, RDS 0.8 Ω, ID 6.5 A, PW 74 W

    USD$ 1.24
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  • USD$ 0.34 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW. Original

    USD$ 0.34
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  • USD$ 0.41 En stock

    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW. Original

    USD$ 0.41
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  • USD$ 4.23 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    USD$ 4.23
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  • USD$ 0.19 En stock

    Fototransistor (Receptor), diámetro de 3mm, tipo NPN, luz infrarroja, filtro contra luz visible, 900 nm, 30 V, 100 mW

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  • USD$ 0.34 En stock

    Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.

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  • USD$ 0.50 En stock

    Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V

    USD$ 0.50
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  • USD$ 0.52 En stock

    Transistor PNP de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V

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  • USD$ 0.03 En stock

    Versión SMD del 2N2222 / PN2222. Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD SOT-23.

    USD$ 0.03
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