öğrencilerin en çok zorlandığı dersleri verdiklerinin sikiş izle farkında oldukları için sınıfta kalacak olan seksi liseli kızlara porno daha iyi not vermek üzere onları tuzaklarına düşürüp hd porno sikmek gibi bir yöntem bulmuşlardır Okulun ilk yarıyılının son porno seyret zamanlarında bu iki dersten sınıfta kalmak üzere olan kızların sikiş kendilerini geçirmeleri için olgun öğretmenleriyle yasak ilişkili türk porno aşk yaşamak istemelerinden memnun olan iki öğretmen daha önce seks sikiş yaparak birbirlerine haber verdikleri olgun öğretmenlerin evinde buluşurlar üvey erkek kardeşi ile aynı okulda okuyan genç kız porno okulda sürekli üvey kardeşi hakkında kızların konuştuğunu duymaktadır porno izle söylemek istemeyince zorlayarak onlara ne olduğunu sorar anal porno konuşmak istiyorum diyerek emir verir genç adam mecburen siker xhamster kadın koca depoda kimse yokken hamal ile yakınlaşmak ister yanına çağırdığı adama verir porno izle tangalı kalçalarını açıp kuzencim amımın huzura ihtiyacı var giderir misin der

Transistores

Fabricantes

Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT)

  • BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

por página
Mostrando 37 - 54 de 147
  • COP$ 650 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

    COP$ 650
    En stock
  • COP$ 650 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

    COP$ 650
    En stock
  • COP$ 741 En stock

    Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

    COP$ 741
    En stock
  • COP$ 935 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 1A, PD: 1.35 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 145 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original

    COP$ 935
    En stock
  • COP$ 935 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 1A, PD: 1.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 130 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original

    COP$ 935
    En stock
  • COP$ 1.480 En stock

    Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 1.480
    En stock
  • COP$ 1.480 En stock

    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 1.480
    En stock
  • COP$ 1.000 En stock

    Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 1.000
    En stock
  • COP$ 1.000 En stock

    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 1.000
    En stock
  • COP$ 3.200 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    COP$ 3.200
    En stock
  • COP$ 357 En stock

    Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original

    COP$ 357
    En stock
  • COP$ 480 En stock

    Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, muy alta velocidad tON 2 ns y tOFF 9 ns, VDS 60 V, RDS 1 Ω, ID 360 mA, PW 350 mW, diodo damper. Original

    COP$ 480
    En stock
  • COP$ 2.300 En stock

    Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original

    COP$ 2.300
    En stock
  • COP$ 698.000 Fuera de stock

    Módulo IGBT, dual, 1200 V, 300 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días

    COP$ 698.000
    Añadir al carrito Más
    Fuera de stock
  • COP$ 6.200 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original

    COP$ 6.200
    En stock
  • COP$ 525.000 Fuera de stock

    Módulo IGBT, 1200 V, 400 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días

    COP$ 525.000
    Añadir al carrito Más
    Fuera de stock
  • COP$ 4.460 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W. Original

    COP$ 4.460
    En stock
  • COP$ 3.900 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns y tOFF 39 ns, diodo damper. Original

    COP$ 3.900
    En stock
Mostrando 37 - 54 de 147