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Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 104 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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  • USD$ 1.07 En stock
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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original

    USD$ 1.07
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  • USD$ 0.34 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.34
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  • USD$ 0.31 En stock
    Nuevo

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.31
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  • USD$ 0.41 En stock

    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW. Original

    USD$ 0.41
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  • USD$ 4.23 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    USD$ 4.23
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  • USD$ 0.11 En stock

    Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.11
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  • USD$ 0.19 En stock

    Fototransistor (Receptor), diámetro de 3mm, tipo NPN, luz infrarroja, filtro contra luz visible, 900 nm, 30 V, 100 mW

    USD$ 0.19
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  • USD$ 0.34 En stock

    Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.

    USD$ 0.34
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  • USD$ 0.50 En stock

    Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V

    USD$ 0.50
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  • USD$ 0.52 En stock

    Transistor PNP de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V

    USD$ 0.52
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  • USD$ 0.03 En stock

    Versión SMD del 2N2222 / PN2222. Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD SOT-23.

    USD$ 0.03
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  • USD$ 2.03 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    USD$ 2.03
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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW

    USD$ 1.72
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  • USD$ 0.17 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 4 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92.

    USD$ 0.17
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  • USD$ 0.10 En stock

    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125 MHz, encapsulado TO-92.

    USD$ 0.10
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  • USD$ 0.34 En stock

    Transistor NPN de bajo ruido, alta ganancia. IC: 100 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 6.5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92.

    USD$ 0.34
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  • USD$ 0.89 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.89
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    Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

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