NTE59

Fabricante: NTE

Características:

• Transistor Bipolar (BJT) PNP de alta potencia
  
• Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y de propósito general
  
• Amplia área de operación segura
• I_C max: 17 A
• P_D: 200 W  (@ T_C: 25º C)
  
• I_B max: 5 A
• V_CEO: 200 V, V_CBO: 200 V, V_EBO: 6 V
• hFE: 20 mínimo (@ I_C= 8 A, V_CE=4 V)
  
• F_T: 20 MHz típica
• V_CE(sat): 2.5 V max. (@ I_C= 10 A, I_B= 1 A)
• Encapsulado TH/THT: MT-200
  
• Complementario NPN: NTE58
  
• Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Hoja de datos:     

Reemplaza a:

2SA1109, 2SA1170, 2SA1216, 2SA1493, 2SA1494, 4050601200, A1109, A1169, A1170, A1216, A1493, A1494, ECG59, SK9449, SK9449/59, entre otros

Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas.