PUT / UJT

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2N6027

2N6027

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Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402

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Parte obsoleta. Para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402

Fabricante: ON Semiconductor

Características:

  • Transistor de unijuntura programable (PUT = Programmable Unijunction Transistor)
  • Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias
  • Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
  • Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
  • Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
  • Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
  • Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
  • Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
  • Corriente en directo max: 150 mA
  • Corriente de compuerta max: ±50 mA
  • Corriente pico no repetitivo max: 5 A  (Pulso de 10 μs)
  • Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
  • Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
  • Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
  • Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
  • Potencia max: 300 mW
  • Marcado: 6027
  • Encapsulado: TO-92
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

Aplicaciones:

  • Disparo de tiristores
  • Circuitos osciladores y generadores de pulsos
  • Osciladores de relajación
  • Circuitos temporizadores
  • Uso como tiristor en aplicaciones especiales debido a la característica de conexión de la compuerta al ánodo
  • Entre otros

 

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Equivalentes: NTE6402, 6402, 2N6027G, 2N2646*

* Requiere programar las caraterísticas RBB, η, Iv y Ip con dos resistencias según los valores del 2N2646

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