BJT

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2N2222A

2N2222ANJS

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Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18.

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Fabricante: NJS

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 800 mA max.
  • PD: 500 mW max.
  • VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V,   max.
  • fT: 300 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-18

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Equivalentes: NTE123A, 123A