BJT

Transistor MJE3055T

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MJE3055T

Referencia: MJE3055T

Estado: Nuevo

Transistor NPN de propósito general de potencia. I_C: 10 A, P_D: 75 W, V_CEO: 60 V, V_CBO: 70 V, V_EBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.

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Fabricante: Fairchild

Características:

Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para aplicaciones de propósito general y conmutación
I_C: 10 A max.
IB: 6 A max.
P_D: 75 W max.
V_CEO: 60 V, V_CBO: 70 V, V_EBO: 5 V, max.
f_T: 2 MHz mínimo
Encapsulado: TO-220

Hoja de datos:

Equivalentes: NTE331, 331

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