BJT

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MJE3055T

MJE3055T

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Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.

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Fabricante: Fairchild

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para aplicaciones de propósito general y conmutación
  • IC: 10 A max.
  • IB: 6 A max.
  • PD: 75 W max.
  • VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V,   max.
  • fT: 2 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-220

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Equivalentes: NTE331, 331