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MJE3055T
MJE3055T
Nuevo
Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.
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Fabricante: Fairchild
Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para aplicaciones de propósito general y conmutación
- IC: 10 A max.
- IB: 6 A max.
- PD: 75 W max.
- VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 2 MHz mínimo
- Encapsulado: TO-220
Hoja de datos: 
Equivalentes: NTE331, 331