BJT

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PN2907 (2N2907)

PN2907

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Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-92. Original

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Fabricante: Central Semiconductor

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) PNP
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V,   max.
  • fT: 200 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-92
  • Producto genuino

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Equivalentes: NTE159, 159, 2N2907, MPS2907, KTN2907, KN2907, entre otros