BJT

Fabricantes

2N2907A

2N2907A

Nuevo

Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18

Más detalles

43 Artículos

En stock

USD$ 0.55

Más información

Fabricante: Micro Electronics

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) PNP
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 1.8 W max.
  • VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V,   max.
  • fT: 200 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-18

Hoja de datos:     Descargar hoja de datos

Equivalentes: NTE159M, 159M