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MPSA13

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Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125 MHz, encapsulado TO-92.

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Características:

  • Transistor Darlington NPN
  • Dispositivo diseñado para aplicaciones que requieren ganancia de corriente muy alta
  • IC: 500 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V,   max.
  • hFE min: 5000  (@ IC=10 mA, VCE=5 V)
  • fT: 125 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-92

 

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Equivalentes: NTE46, 46