BJT

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MPSA18

MPSA18

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Transistor NPN de bajo ruido, alta ganancia. IC: 100 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 6.5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92.

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Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de bajo ruido y alta ganancia de corriente
  • IC: 100 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 6.5 V,   max.
  • Factor de ruido: 1.5 dB max.
  • hFE min: 500  (@ IC=10 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-92

 

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Equivalentes: NTE47, 47, 2N5088, 2N5089