BJT

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2N3053

2N3053

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Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

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Fabricante: Central Semiconductor

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 700 mA max.
  • PD: 5 W max.
  • VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V,   max.
  • hFE: 25 (@ IC=150 mA, VCE=2.5 V) a 250 (@ IC=150 mA, VCE=10 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-39

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Equivalentes: NTE128, 128