BJT

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2N4401

2N4401

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Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz

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Fabricante: Allegro Microsystems, ON

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 500 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 20 (@ IC=0.1 mA, VCE=1 V) a 300 (@ IC=150 mA, VCE=1 V)
  • fT: 250 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-92

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Equivalentes: NTE123AP, 123AP