IGBT

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GP10NC60KD

STGP10NC60KD

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Transistor IGBT, IC: 10 A a 100 ºC, PTOT: 65 W, VCES: 600 V, diodo damper.

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USD$ 1.58

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Fabricante: ST

Características:

    • Transistor tipo IGBT
    • Diodo damper en antiparalelo de recuperación muy suave y ultra rápida
    • Relación CRES/CIES mas baja (No presenta susceptibilidad a cross-conducción)
    • PowerMESH™
    • IC continua max: 10 A @ 100 ºC, 20 A @ 25 ºC
    • IC pulso max: 30 A
    • PTOT max: 65 W
    • VCES max: 600 V
    • VGE max: ±20 V
    • Voltaje umbral de compuerta VGE(th) : 4.5 V a 6.5 V
    • Bajo VCE de saturación: 2.2 V típico
    • Tiempo de soporte de corto circuito: 10 μs
    • Encapsulado: TO-220

 

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