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NTE2973

NTE2973

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Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original

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Fabricante: NTE

Características: 

  • MOSFET canal N, modo de enriquecimiento
  • VDS max. = 900 V
  • VGS max. = ±30V
  • ID continua max. = 14 A
  • ID pulsada max. = 42 A
  • PW max. = 275 W
  • Voltaje de umbral de la compuerta: 3 V típico
  • Baja resistencia en conducción RDS = 0.63 Ω típica, 0.85 Ω max.
  • Alta velocidad. tON : 45 ns típico. tOFF: 325 ns típico  (@ VDD 200 V, VGS 10 V, ID 7 A, RL 50 Ω)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado: TO-3P
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Reemplaza a:

2SK2082, 2SK2082-01, 2SK2148 %, 2SK2148-01 %, 2SK2488, 2SK2611, 2SK2676, 2SK2771, 2SK2771-01R, 2SK2828, 2SK2847, 2SK2968, ECG2973, F10W90HVX2, FS10SM-16A, FS14SM-18A, H8NA60FI %, K2082, K2082-01, K2148 %, K2148-01 %, K2488, K2611, K2676, K2771, K2771-01R, K2828, K2847, K2968, SSH10N70, SSH10N80, STH8NA60FI %, STW11NB80, STW8NA60, STW8NA80, STW9NA80, STW9NB80, W11NB80, W8NA60, W9NA80, W9NB80, entre otros

Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas. Los dispositivos NTE no deben ser usados en equipos de soporte vital, ya que no han sido diseñados y/o certificados para esa aplicación.

% Se debe usar con hardware de aislamiento

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