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NTE2377

NTE2377

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Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

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USD$ 17.25

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Fabricante: NTE

Características: 

  • MOSFET canal N, modo de enriquecimiento
  • VDS max. = 900 V
  • VGS max. = ±30V
  • ID continua max. = 8 A
  • ID pulsada max. = 36 A
  • PW max. = 150 W (@ TC = 25 ºC)
  • RDS = 1.2 Ω típica, 1.6 Ω max.
  • Alta velocidad. tON : 20 ns típico. tOFF: 350 ns típico  (@ VDD 200 V, VGS 10 V, ID 4 A, RL 50 Ω)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado: TO-3P
  • Incluye aislante de mica
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Reemplaza a:

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Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas. Los dispositivos NTE no deben ser usados en equipos de soporte vital, ya que no han sido diseñados y/o certificados para esa aplicación.

% Se debe usar el hardware de aislamiento provisto con el dispositivo NTE

? El dispositivo NTE podría no ser un equivalente eléctrico o mecánico exacto. Sin embargo, servirá como un substituto aceptable en la mayoría de aplicaciones típicas

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