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Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDS 200 V, RDS 0.8 Ω, ID 6.5 A, PW 74 W

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Fabricante: Vishay Siliconix

Características: 

  • MOSFET canal P
  • VDS = 200 V, ID = 6.5 A, PW = 74 W
  • Corriente pulsada max: 26 A
  • Baja resistencia en conducción RDS = 0.8 Ω max.
  • Diseño robusto
  • Soporta avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
  • Temperatura de operación: -55 ºC a +150 ºC
  • Conmutación rápida
  • Fácil de poner en paralelo
  • Encapsulado: TO-220AB

 

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Equivalentes: NTE2373, 2373