Módulo con sensor de temperatura infrarrojo de termopila TMP006, medición sin contacto, -40 °C a +125 °C, campo de visión 90º, salida digital I2C. Original.
Diodo ultra rápido de pequeña señal Schottky, 15 mA, 70 V, voltaje en directo muy bajo. Original
Diodo rectificador Schottky, 3 A, 20 V, voltaje en directo muy bajo, alta frecuencia. Original
Diodo ultra rápido de pequeña señal Schottky, 15 mA, 60 V, voltaje en directo muy bajo. Original
Heat sink for TO-126, TO-127, TO-202, TO-218, TO-220, TO-3P and others, anodized Aluminum, for use with 1 or 2 devices, dimensions 30 mm x 12.7 mm x 25.4 mm
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF y , VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original
High power PNP transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, package TO-264 (TO-3PL). Original
High power NPN transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, package TO-264 (TO-3PL). Original
Medium power NPN transitor. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. Original
Multivibrador monoestable/astable, salidas complementarias, disparo por flanco de subida o de bajada, habilitador astable, opción de redisparo, reset externo, bajo consumo. CMOS. Encapsulado DIP. Original.
1 suiche SP8T de estado sólido. Pueden transmitir, multiplexar o suichear señales tanto análogas como digitales. Tecnología CMOS. Original
1 suiche DP4T bilateral de estado sólido. Pueden transmitir, multiplexar o suichear señales tanto análogas como digitales. Tecnología CMOS. Original
3 suiches SPDT bilaterales de estado sólido. Pueden transmitir, multiplexar o suichear señales tanto análogas como digitales. Tecnología CMOS. Original
Registro de desplazamiento de 8 bits, entrada serial y salida paralela, salidas tri-estado con cerrojos (latches), entradas de reloj activadas por flanco de subida. CMOS. Original