Small signal and high voltage diode, 50 ns, 1.5 pF, 250 mA, 200 V continuo, 250 V pico repetitivo, transiente de corriente pico 1 A, 500 mW. Original
Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Display alfanumérico doble, 14 segmentos a LED y punto decimal por cada carácter, ánodo común, control multiplexado, luz roja, tamaño del carácter 0.54" (13.6 mm)
Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original
Amplificador de instrumentación de precisión, muy bajo offset de entrada, bajo drift, alto rechazo en modo común, baja corriente de polarización de entrada, protección contra sobre voltaje en las entradas hasta ±40 V, amplio voltaje de alimentación de ±2.25 V a ±18 V. Original
Amplificador de instrumentación, bajo ruido, baja corriente de reposo, amplio voltaje de alimentación de ±1.35 V a ±18 V. Original
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 14 pines. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original
P-Channel JFET transistor, for amplification, Sample & Hold and switching, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original
Dual operational amplifier, 3 MHz bandwidth, Latch-Up free, phase and gain match between amplifiers, internally frequency compensated, low noise inputs, low power consumption, large common mode and differential voltage range. DIP package. Original
Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original