Diodo de Germanio optimizado para respuesta en radio frecuencia, uniones con oro, 40 mA, 100 V, 0.8 pF. Puede reemplazar a los diodos de punto de contacto (Diodo de cristal) en muchas aplicaciones.
Diodo de propósito general de alta velocidad, 4 ns, 2.5 pF, 200 mA, 50 V. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF y , VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402
6 buffers non inverting (YES), the inputs high level signal can exceed the VDD supply voltage for use as logic level converter. CMOS. DIP package. Original
1 suiche SP8T de estado sólido. Pueden transmitir, multiplexar o suichear señales tanto análogas como digitales. Tecnología CMOS. Original
Pareja de receptor y transmisor ultrasónicos, salida análoga, SPL ≥ 115 dB, sensibilidad ≥ -67 dB