N-Channel MOSFET transistor. VDS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns and tOFF 39 ns, damper diode. Original
N-Channel MOSFET transistor. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns and tOFF 21 ns, damper diode. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original
Dual voltage comparator, low input bias current, low input offset voltage and current, low power consumption, wide range supply voltages. DIP package. Original
Transmisor/receptor de línea en estándar RS-232 (EIA/TIA-232F e ITU V.28). Particularmente útil en aplicaciones con baterías, o donde no se cuente con ±12 V, rango de temperatura industrial. Original
Amplificador operacional cuádruple de bajo ruido, ideal para circuitos de audio, ancho de banda de 3 MHz, alta velocidad, entradas de alta impedancia JFET, bajo consumo de potencia. Original