6 compuertas inversoras (NOT) con salida a drenador abierto. CMOS. Original.
MOSFET de potencia canal N. VDSS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns y tOFF 39 ns, diodo damper. Original
MOSFET de potencia canal N. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns y tOFF 21 ns, diodo damper. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original
Doble comparador de voltaje, baja corriente de entrada, bajo offset de voltaje y corriente de entrada, bajo consumo, amplio voltaje de alimentación. Encapsulado DIP. Original
Transmisor/receptor de línea en estándar RS-232 (EIA/TIA-232F e ITU V.28). Particularmente útil en aplicaciones con baterías, o donde no se cuente con ±12 V, rango de temperatura industrial. Original
Amplificador operacional cuádruple de bajo ruido, ideal para circuitos de audio, ancho de banda de 3 MHz, alta velocidad, entradas de alta impedancia JFET, bajo consumo de potencia. Original