Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402
High power PNP transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, package TO-264 (TO-3PL). Original
High power NPN transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, package TO-264 (TO-3PL). Original
Regulador de voltaje fijo positivo de 9 V y 1 A de corriente, tolerancia de salida 4%
Regulador de voltaje fijo negativo de -5 V y 1 A de corriente, tolerancia de salida 2%
Regulador de voltaje fijo negativo de -12 V y 1 A de corriente, tolerancia de salida 2%. Original
Low noise NPN transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 1A, PD: 1.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 130 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Triac de 25 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 250 A, alta inmunidad al ruido, soporta altos dI/dt y dV/dt. Original