Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Triac de 25 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 250 A, alta inmunidad al ruido, soporta altos dI/dt y dV/dt. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDS 25 V, VGS 25 V, IGF 10 mA, PD 350 mW
Kit 30 experimentos para aprender electrónica básica
Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
Positive adjustable voltage regulator, voltage output 1.2 to 37 V and current max. 1.5 A. Original.
Doble diodo rectificador Schottky, cátodo común, 12.5 A por diodo, 45 V. Original
2N2222 / PN2222 SMD version. General purpose NPN transistor. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, SOT-23 SMD package. Original
Random phase optocoupler with fototriac, 6 mA LED trigger current, 600 V output voltage, 4.17 kV isolation voltage, enhanced static dv/dt capability. DIP package. Original
Diodo rectificador súper rápido, tiempo de recuperación 60 ns, 8 A, 600 V. Encapsulado TO-220AC. Original
Diodo rectificador ultra rápido de juntura de vidrio pasivado, 2 A, 200 V, 35 ns, alta frecuencia. SMD. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original