Regulador de voltaje fijo positivo de 3.3 V y 1 A de corriente, baja caida (LDO). Montaje superficial SOT-223
Pulsador táctil 12x12 mm, acción momentánea, alta calidad. Vida útil: 3.000.000 de operaciones mínimo. Tipo SPST N.O. Muy poco rebote. Con tope color blanco hueso o negro.
M2020 NTC thermistor probe assemblie, -40 °C to +80 °C, 5 kΩ resistance (@ 25 ºC), B25/100 3980 K, No. 2003 standardized R/T characteristic, with 90 cm cable
Diodo sencillo de pequeña señal Schottky, 200 mA, 30 V, voltaje en directo muy bajo, alta frecuencia, 5 ns. SMD
Double Schottky diode, common cathode, 200 mA, 30 V, very low forward voltage, high frequency, 5 ns. SMD
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92. Original
General purpose NPN Transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V, FT: 300 MHz. TO-92. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz
Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original
Low noise NPN transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. Original
Low noise NPN transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. TO-92. Original
Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original
Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, muy alta velocidad tON 2 ns y tOFF 9 ns, VDS 60 V, RDS 1 Ω, ID 360 mA, PW 350 mW, diodo damper. Original
1 A and 600 V triac, non-repetitive peak on-state current: 12.5 A, high sensitive gate. Original
1 A and 800 V triac, non-repetitive peak on-state current: 12.5 A, high sensitive gate. Original