Encoder mecánico, movimiento rotatorio sin detenciones, salida en quadratura (Incremental), 12 pulsos por revolución
Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original
Diodo de propósito general de alta velocidad, 4 ns, 200 mA, 100 V. SMD. Original
Módulo IGBT, dual, 1200 V, 300 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días
Módulo IGBT, 1200 V, 400 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días
Interruptor deslizante (slide), tipo DP3T, 3 posiciones ON-ON-ON, 3 A 125 VAC, 0.5 A 125 VDC, montaje en chasis
Optoacoplador miniatura de ranura o herradura con fototransistor para aplicaciones como fotointerruptor, tipo transmisivo, ranura de 3 mm. Original
Inductor tipo choque, 22000 uH (22 mH), 0.02 MHz, montaje axial, 40 mA, tolerancia 5.1%, resistencia 120 Ω, Q=50
Toroidal power inductor, 100 uH and 1000 uH (1 mH) inductance selectable via dropdown menu, 7 A and 2.4 A current according to the part number
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original
P-Channel JFET transistor, for amplification, Sample & Hold and switching, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 250 Ω. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDS 25 V, VGS 25 V, IGF 10 mA, PD 350 mW
Conversor de voltaje a frecuencia y frecuencia a voltaje, 1 Hz a 100 kHz, alta linealidad. Original.
Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original