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Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

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  • USD$ 12.13 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    USD$ 12.13
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  • USD$ 5.73 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, , RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original

    USD$ 5.73
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  • USD$ 14.64 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original

    USD$ 14.64
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  • USD$ 1.93 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) < 0.55 Ω, ID 9 A, PW 110 W. SuperMESH™ protegido por zener. Original

    USD$ 1.93
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  • USD$ 2.30 En stock

    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida en fase con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original

    USD$ 2.30
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  • USD$ 2.30 En stock

    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida invertida con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original.

    USD$ 2.30
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