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Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida en fase con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original

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USD$ 2.30

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Fabricante: Microchip

Características:

  • Driver de transistores MOSFET e IGBT
  • Alta velocidad. Tiempos de propagación típicos: tD: 55 ns. Rise time: 25 ns, fall time: 25 ns (@ CL = 2.500 pF)
  • Salida sencilla
  • Salida en fase con la entrada (No inversor)
  • Puede manejar cargas altamente capacitivas: 10.000 pF
  • baja impedancia de salida: 2.5 Ω
  • Voltaje de salida: 4.5 V a 18 V aprox. (Rail to rail)
  • Corriente de salida pulsada: 6 A típico.
  • Entrada compatible con CMOS y TTL que operen a valores tan bajos como 2.4 V
  • Protegido contra Latch-Up
  • Voltaje de alimentación: 4.5 V a 18 V
  • PD: 0.73 W (730 mW)
  • Encapsulado THT: PDIP 8 pines
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

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