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MOSFET

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NTE2393

NTE2393

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Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

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COP$ 35.250

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Fabricante: NTE

Características: 

  • MOSFET canal N, modo de enriquecimiento
  • VDS max. = 500 V
  • VGS max. = ±20V
  • ID max. = 10 A
  • PW max. = 125 W  (@ TC = 25 ºC)
  • Voltaje de umbral de la compuerta: 3 V típico
  • Baja resistencia en conducción RDS = 0.5 Ω típica, 0.67 Ω max.
  • Alta velocidad. tON : 130 ns típico, 195 ns max. tOFF: 440 ns típico, 570 ns max.  (@ VGS 10 V, ID 2.8 A, RL 50 Ω)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado: TO-3P
  • Incluye aislante de mica
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Reemplaza a:

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Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas. Los dispositivos NTE no deben ser usados en equipos de soporte vital, ya que no han sido diseñados y/o certificados para esa aplicación.

# Existen mínimas diferencias eléctricas, pero el dispositivo NTE funcionará en la mayoría de aplicaciones

? El dispositivo NTE podría no ser un equivalente eléctrico o mecánico exacto. Sin embargo, servirá como un substituto aceptable en la mayoría de aplicaciones típicas

% Se debe usar el hardware de aislamiento provisto con el dispositivo NTE

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