Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategorías
Transistores de unión bipolar (BJT)
Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
Transistor PNP de potencia. IC 6 A, PTOT 65 W, VCEO 100 V, VCBO 100 V, VEBO 5 V. Original
Arreglo de 7 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5 A y 50 V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Original
Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles TTL y CMOS de 5 V. Original
Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles CMOS y PMOS de 6 V a 15 V.
Transistor NPN de propósito general de media potencia. IC: 2 A, PTOT: 1.5 W, VCEO: 60 V, VCBO: 80 V, VEBO: 7 V, FT : 175 MHz. Original
Transistor PNP de propósito general de media potencia. IC: 2 A, PTOT: 1.5 W, VCEO: 60 V, VCBO: 80 V, VEBO: 7 V, FT : 140 MHz. Original