Doble comparador de voltaje, baja corriente de entrada, bajo offset de voltaje y corriente de entrada, bajo consumo, amplio voltaje de alimentación. Encapsulado DIP. Original
Doble comparador de voltaje, baja corriente de entrada, bajo offset de voltaje y corriente de entrada, bajo consumo, amplio voltaje de alimentación. Encapsulado SMD SOIC. Original
6 buffers no inversores (YES), las entradas toleran voltaje mas alto que la alimentación, pueden usarse como conversores de niveles de voltaje lógicos. CMOS. Encapsulado DIP. Original
Decodificador BCD a 7 segmentos, driver de display a LED o LCD de cátodo común, cerrojo de los datos BCD. CMOS. Original
Amplificador operacional doble, ancho de banda 3 MHz, libre de Latch-Up, fase y ganancia emparejados en los dos AO's, compensado en frecuencia, entradas de bajo ruido, bajo consumo de potencia, amplio rango de voltaje de entrada en modo común y diferencial. Encapsulado DIP. Original
Optoacoplador de fase aleatoria con fototriac, corriente de disparo 15 mA, voltaje de salida 250 V, voltaje de aislamiento 5.3 kV. Encapsulado DIP. Original
Optoacoplador de fase aleatoria con fototriac, corriente de disparo 6 mA, voltaje de salida 600 V, voltaje de aislamiento 4.17 kV, alta capacidad dv/dt. Encapsulado DIP. Original
Transistor NPN de media potencia para amplificación de audio y driver. IC: 1.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz. Encapsulado TO-126. Original
Transistor NPN de alta frecuencia y bajo ruido para aplicaciones UHF. IC: 70 mA, PD: 500 mW, VCEO: 12 V, VCBO: 20 V, VEBO: 3 V, fT: 5 GHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de alta frecuencia para amplificación IF, osciladores VHF, mezcladores, y sintonizadores FM. IC: 50 mA, PD: 425 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, fT: 500 MHz, encapsulado TO-92. Original