Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, diodo damper. Original
Transistor PNP de media potencia para amplificación de audio y driver. IC: 1.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz. Encapsulado TO-126. Original
Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original