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Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT Hay 7 productos.

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    Módulo IGBT, dual, 1200 V, 300 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días

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    Módulo IGBT, 1200 V, 400 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días

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    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 14 pines. Original

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    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 16 pines. Original. Parte obsoleta, para nuevos...

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    Transistor IGBT, IC: 10 A a 100 ºC, PTOT: 65 W, VCES: 600 V, diodo damper. Original

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    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida en fase con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original

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    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida invertida con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original.

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