öğrencilerin en çok zorlandığı dersleri verdiklerinin sikiş izle farkında oldukları için sınıfta kalacak olan seksi liseli kızlara porno daha iyi not vermek üzere onları tuzaklarına düşürüp hd porno sikmek gibi bir yöntem bulmuşlardır Okulun ilk yarıyılının son porno seyret zamanlarında bu iki dersten sınıfta kalmak üzere olan kızların sikiş kendilerini geçirmeleri için olgun öğretmenleriyle yasak ilişkili türk porno aşk yaşamak istemelerinden memnun olan iki öğretmen daha önce seks sikiş yaparak birbirlerine haber verdikleri olgun öğretmenlerin evinde buluşurlar

Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 109 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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  • USD$ 0.05 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92.

    USD$ 0.05
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  • USD$ 0.66 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18.

    USD$ 0.66
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  • USD$ 0.55 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18

    USD$ 0.55
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  • USD$ 1.35 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

    USD$ 1.35
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  • USD$ 1.72 En stock

    Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 3 MHz, encapsulado TO-3. Original

    USD$ 1.72
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  • USD$ 3.03 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF, 450 MHz, VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original

    USD$ 3.03
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  • USD$ 0.05 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.05
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  • USD$ 0.09 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz

    USD$ 0.09
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  • USD$ 0.12 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz

    USD$ 0.12
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    Nuevo

    Transistor de unijuntura (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, corriente pico Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. Original.

    USD$ 3.37
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  • USD$ 4.99 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

    USD$ 4.99
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  • USD$ 0.19 En stock

    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original

    USD$ 0.19
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  • USD$ 1.55 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    USD$ 1.55
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  • USD$ 0.13 En stock

    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original

    USD$ 0.13
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  • USD$ 1.34 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    USD$ 1.34
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  • USD$ 2.77 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402

    USD$ 2.77
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  • USD$ 2.05 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original

    USD$ 2.05
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