öğrencilerin en çok zorlandığı dersleri verdiklerinin sikiş izle farkında oldukları için sınıfta kalacak olan seksi liseli kızlara porno daha iyi not vermek üzere onları tuzaklarına düşürüp hd porno sikmek gibi bir yöntem bulmuşlardır Okulun ilk yarıyılının son porno seyret zamanlarında bu iki dersten sınıfta kalmak üzere olan kızların sikiş kendilerini geçirmeleri için olgun öğretmenleriyle yasak ilişkili türk porno aşk yaşamak istemelerinden memnun olan iki öğretmen daha önce seks sikiş yaparak birbirlerine haber verdikleri olgun öğretmenlerin evinde buluşurlar üvey erkek kardeşi ile aynı okulda okuyan genç kız porno okulda sürekli üvey kardeşi hakkında kızların konuştuğunu duymaktadır porno izle söylemek istemeyince zorlayarak onlara ne olduğunu sorar anal porno konuşmak istiyorum diyerek emir verir genç adam mecburen siker xhamster kadın koca depoda kimse yokken hamal ile yakınlaşmak ister yanına çağırdığı adama verir porno izle tangalı kalçalarını açıp kuzencim amımın huzura ihtiyacı var giderir misin der

Transistores

Fabricantes

Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 138 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

por página
Mostrando 1 - 18 de 138
  • $ 155 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92.

    $ 155
    En stock
  • $ 1.910 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18.

    $ 1.910
    En stock
  • $ 1.595 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18

    $ 1.595
    En stock
  • $ 4.250 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39. Original

    $ 4.250
    En stock
  • $ 5.000 En stock

    Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 3 MHz, encapsulado TO-3. Original

    $ 5.000
    En stock
  • $ 8.794 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF, 450 MHz, VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original

    $ 8.794
    En stock
  • $ 138 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

    $ 138
    En stock
  • $ 131 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

    $ 131
    En stock
  • $ 450 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz

    $ 450
    En stock
  • $ 350 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz

    $ 350
    En stock
  • $ 9.800 En stock

    Transistor de unijuntura (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, corriente pico Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. Original.

    $ 9.800
    En stock
  • $ 14.496 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

    $ 14.496
    En stock
  • $ 550 En stock

    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original

    $ 550
    En stock
  • $ 4.500 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    $ 4.500
    En stock
  • $ 365 En stock

    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original

    $ 365
    En stock
  • $ 3.900 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    $ 3.900
    En stock
  • $ 8.050 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402

    $ 8.050
    En stock
  • $ 5.950 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original

    $ 5.950
    En stock
Mostrando 1 - 18 de 138