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Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF, VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original

    USD$ 1.82
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  • USD$ 1.55 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    USD$ 1.55
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  • USD$ 1.34 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    USD$ 1.34
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  • USD$ 0.88 En stock
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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    USD$ 0.88
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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.34
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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original

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    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original

    USD$ 0.45
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    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 250 Ω. Original

    USD$ 0.41
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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

    USD$ 4.23
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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW

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