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NTE Electronics Inc. provee la serie de reemplazos de semiconductores mas amplia del mundo y otros componentes, suministros y herramientas para electrónica

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, diodo damper. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original

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    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 4 A, PTOT: 40 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor Darlington NPN para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor Darlington PNP para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

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    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original

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  • COP$ 6.026 En stock

    Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, Giant TO-92 . Original

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    Transistor PNP de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-92 . Original

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    Transistor de alta potencia NPN para amplificación de audio o conmutación de alta corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, encapsulado TO-3P. Original

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    Transistor de alta potencia PNP para amplificación de audio o conmutación de alta corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, encapsulado TO-3P. Original

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    Transistor NPN de media potencia para amplificación de audio y driver. IC: 1.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz. Encapsulado TO-126. Original

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    Transistor PNP de media potencia para amplificación de audio y driver. IC: 1.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz. Encapsulado TO-126. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 10 A, PTOT: 50 W, VCEO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de audio. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 100 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz, Giant TO-92. Original

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