2N5109

Fabricante: Central Semiconductor

Características:

• Transistor Bipolar (BJT) NPN
• Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
• I_C: 700 mA max.
• P_D: 5 W max.
• V_CEO: 40 V, V_CBO: 60 V, V_EBO: 5 V,   max.
• h_FE: 25 (@ IC=150 mA, VCE=2.5 V) a 250 (@ I_C=150 mA, V_CE=10 V)
• f_T: 100 MHz mínimo
• Encapsulado: TO-39

Hoja de datos:    

Equivalentes: NTE128, 128