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Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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Fabricante: ON Semiconductor

Características: 

  • JFET canal N para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores
  • Voltaje max. drenador-fuente VDS = 25 V
  • Voltaje max. compuerta-fuente VGS = 25 V
  • Corriente max. de compuerta en directo IGF = 10 mA
  • Potencia max. PD = 350 mW
  • Encapsulado: TO-92

 

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Equivalentes: NTE2902, 2902, J309

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