BJT

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MPSA06

MPSA06

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Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 4 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92.

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Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como driver y en etapas de salida de baja potencia
  • IC: 500 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 4 V,   max.
  • fT: 100 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-92

 

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Equivalentes: NTE287, 287, KSMPSA06, entre otros

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