2N5551

Fabricantes: Dongguan Nanjing Electronics

Características:

• Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
• Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
• I_C: 600 mA max.
• P_D: 625 mW max.
• V_CEO: 160 V, V_CBO: 180 V, V_EBO: 6 V,   max.
• h_FE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
• f_T: 100 MHz mínimo
• V_CE(sat): 0.2 V max. (@ I_C = 50 mA)
  
• Encapsulado: TO-92
• Complementarios: 2N5400, 2N5401
• Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Hoja de datos:     

Equivalentes: NTE194, 194, HN5551, entre otros

Puede reemplazar a: 2N5550