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BJT

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NTE123AP

NTE123AP

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Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

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Fabricante:
NTE

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • IC: 600 mA
  • PD: 625 mW
  • VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V
  • hFE: 100 a 300 (@ IC 150 mA y VCE 1 V)
  • FT: 250 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.4 V max.
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementario: NTE159
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Reemplaza a:  Vea la lista Aquí

Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas. Los dispositivos NTE no deben ser usados en equipos de soporte vital, ya que no han sido diseñados y/o certificados para esa aplicación.

+ Gire el dispositivo NTE 180º para coincidir con la configuración de los pines del dispositivo a reemplazar

? El dispositivo NTE podría no ser un equivalente eléctrico o mecánico exacto. Sin embargo, servirá como un substituto aceptable en la mayoría de aplicaciones típicas

* La configuración de los pines puede diferir del dispositivo a reemplazar. Consulte la hoja de datos de ambos dispositivos

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