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2N6756

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Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®

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USD$ 14.96

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Fabricante: International Rectifier

Características: 

  • MOSFET canal N de tecnología HEXFET®
  • BVDSS = 100 V, ID = 14 A, PW = 75 W
  • Baja resistencia en conducción RDS = 0.18 Ω
  • Especificaciones dadas para avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
  • Alta transconductancia
  • Fácil de poner en paralelo
  • Encapsulado: TO-204AA (TO-3 modificado)

 

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Equivalentes: NTE2392, IRF130

 

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