STGP10NC60KD

Fabricante: ST

Características:

• Transistor tipo IGBT
• Diodo damper en antiparalelo de recuperación muy suave y ultra rápida
• Relación C_RES/C_IES mas baja (No presenta susceptibilidad a cross-conducción)
• PowerMESH™
• I_C continua max: 10 A @ 100 ºC, 20 A @ 25 ºC
• I_C pulso max: 30 A
• P_TOT max: 65 W
• V_CES max: 600 V
• V_GE max: ±20 V
• Voltaje umbral de compuerta VGE(th) : 4.5 V a 6.5 V
• Bajo VCE de saturación: 2.2 V típico
• Tiempo de soporte de corto circuito: 10 μs
• Marcado: GP10NC60KD
• Encapsulado: TO-220
• Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Hoja de datos: