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  • COP$ 400 En stock

    Diodo de alto voltaje para pequeña señal, 50 ns, 1.5 pF, 250 mA, 200 V continuo, 250 V pico repetitivo, transiente de corriente pico 1 A, 500 mW. Original

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  • COP$ 1.480 En stock

    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 1.400 En stock

    Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 3.200 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

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  • COP$ 550 En stock

    Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original

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  • COP$ 1.097 En stock

    SCR de 4 A y 400 V, alta sensibilidad de compuerta (0.2 mA). Original

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    SCR de 4 A y 600 V, alta sensibilidad de compuerta (0.2 mA). Original

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  • COP$ 7.250 Fuera de stock

    Display alfanumérico doble, 14 segmentos a LED y punto decimal por cada carácter, ánodo común, control multiplexado, luz roja, tamaño del carácter 0.54" (13.6 mm)

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  • COP$ 6.200 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original

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  • COP$ 109.200 En stock

    Amplificador de instrumentación de muy alta precisión. Original

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  • COP$ 56.730 En stock

    Amplificador de instrumentación de precisión, muy bajo offset de entrada, bajo drift, alto rechazo en modo común, baja corriente de polarización de entrada, protección contra sobre voltaje en las entradas hasta ±40 V, amplio voltaje de alimentación de ±2.25 V a ±18 V. Original

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  • COP$ 27.950 Fuera de stock

    Amplificador de instrumentación con referencia de voltaje de precisión ajustable, bajo consumo de potencia, bajo offset de entrada, bajo drift, alto rechazo en modo común, puede operar con fuente sencilla o dual. Original

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  • COP$ 26.900 En stock

    Amplificador de instrumentación, bajo ruido, baja corriente de reposo, amplio voltaje de alimentación de ±1.35 V a ±18 V. Original

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  • COP$ 16.250 En stock

    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 14 pines. Original

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  • COP$ 2.500 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original

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  • COP$ 2.500 En stock

    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original

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  • COP$ 1.600 En stock

    Amplificador operacional doble, ancho de banda 3 MHz, libre de Latch-Up, fase y ganancia emparejados en los dos AO's, compensado en frecuencia, entradas de bajo ruido, bajo consumo de potencia, amplio rango de voltaje de entrada en modo común y diferencial. Encapsulado DIP. Original

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  • COP$ 366 En stock

    Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

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