Modulo Transceiver (transmisor/receptor) para LoRa, 915 MHz, bajo consumo, largo alcance: 15 km suburbano y 5 km urbano, 14 GPIO, alimentación 2.1 V a 3.6 V. SMD/SMT. Original
Transistor NPN de audio y propósito general, excelente linealidad. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 20 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original
Inductores de potencia, SMD, inductancia desde 1 uH a 1000 uH (1 mH) seleccionables mediante menú desplegable, corriente desde 0.5 A a 10 A según la referencia
Driver en media H cuádruple, para el control de cargas inductivas, 1 A, 36 V, entradas TTL, puede configurarse en puente H completo. Versión mejorada del L293. Original.
Transistor NPN de alta ganancia y buena linealidad, bajo ruido. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 270 MHz, encapsulado TO-92. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) < 0.55 Ω, ID 9 A, PW 110 W. SuperMESH™ protegido por zener. Original
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida en fase con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida invertida con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original.
Fotodiodo de silicio tipo PIN, sensible al infrarrojo, 60 V, 20º, alta sensibilidad, 950 nm, diámetro 3 mm. Original
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 5 A, PTOT: 65 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. TO-220AB. Original
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 5A, PTOT: 65W, VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN de potencia. IC: 6A, PTOT: 65W, VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V. Original
Amplificador operacional doble con ancho de banda de 3 MHz, alta velocidad, entradas de alta impedancia JFET, bajo consumo de potencia, baja distorsión armónica. Original
Sensor de luz basado en fotodiodo con salida de voltaje directamente proporcional a la intensidad luminosa, amplificador incorporado, sensible al espectro de luz visible, infrarrojo cercano y ultravioleta cercano, longitud de onda pico 675 nm, alta sensibilidad, bajo ruido, alimentación 2.7 V a 5.5 V. Original
Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles TTL y CMOS de 5 V. Original
Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles CMOS y PMOS de 6 V a 15 V.