öğrencilerin en çok zorlandığı dersleri verdiklerinin sikiş izle farkında oldukları için sınıfta kalacak olan seksi liseli kızlara porno daha iyi not vermek üzere onları tuzaklarına düşürüp hd porno sikmek gibi bir yöntem bulmuşlardır Okulun ilk yarıyılının son porno seyret zamanlarında bu iki dersten sınıfta kalmak üzere olan kızların sikiş kendilerini geçirmeleri için olgun öğretmenleriyle yasak ilişkili türk porno aşk yaşamak istemelerinden memnun olan iki öğretmen daha önce seks sikiş yaparak birbirlerine haber verdikleri olgun öğretmenlerin evinde buluşurlar üvey erkek kardeşi ile aynı okulda okuyan genç kız porno okulda sürekli üvey kardeşi hakkında kızların konuştuğunu duymaktadır porno izle söylemek istemeyince zorlayarak onlara ne olduğunu sorar anal porno konuşmak istiyorum diyerek emir verir genç adam mecburen siker xhamster kadın koca depoda kimse yokken hamal ile yakınlaşmak ister yanına çağırdığı adama verir porno izle tangalı kalçalarını açıp kuzencim amımın huzura ihtiyacı var giderir misin der

MOSFET

Fabricantes

MOSFET

Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

MOSFET Hay 28 productos.

por página
Mostrando 19 - 28 de 28
  • COP$ 3.100 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original

    COP$ 3.100
    En stock
  • COP$ 50.150 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    COP$ 50.150
    En stock
  • COP$ 16.800 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, diodo damper. Original

    COP$ 16.800
    En stock
  • COP$ 35.250 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    COP$ 35.250
    En stock
  • COP$ 17.900 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original

    COP$ 17.900
    En stock
  • COP$ 42.550 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original

    COP$ 42.550
    En stock
  • COP$ 0

    Software gratuito NTE QUICKCross. Descárguelo en la descripción ampliada debajo. Proporciona referencias cruzadas de más de 525.000 dispositivos a 4.600 dispositivos NTE: Semiconductores, optoelectrónicos, relés, potenciómetros, trimmers, dials, resistores, suiches, fusibles, termistores, varistores, puntas de cautín, puntas de prueba, ventiladores,...

    COP$ 0
  • COP$ 5.600 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) < 0.55 Ω, ID 9 A, PW 110 W. SuperMESH™ protegido por zener. Original

    COP$ 5.600
    En stock
  • COP$ 6.700 En stock

    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida en fase con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original

    COP$ 6.700
    En stock
  • COP$ 6.700 En stock

    Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida invertida con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original.

    COP$ 6.700
    En stock
Mostrando 19 - 28 de 28