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IRFZ44Z

IRFZ44ZPbF

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Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original

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Fabricante: International Rectifier (Infineon)

Características: 

  • MOSFET canal N tecnología HEXFET™
  • VDS max. = 55 V
  • VGS max. = ±20 V
  • ID continua max. = 51 A
  • ID pulsada max. = 200 A
  • PW max. = 80 W (@ TC = 25 ºC)
  • RDS = 11.1 mΩ típica, 13.9 mΩ max.
  • Alta velocidad. tON : 14 ns típico. tOFF: 33 ns típico  (@ VDD 28 V, VGS 10 V, ID 31 A, RG 15 Ω)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado THT: TO-220AB
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Equivalentes: NTE2395, 2395, AUIRFZ44Z, entre otros

 

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